近日,,我校傳來喜訊,,電子工程學(xué)院的荀威博士兩篇論文成功入選ESI高被引論文。這一成果不僅是荀威博士個(gè)人學(xué)術(shù)生涯的重大突破,,更是我??蒲袑?shí)力提升的有力見證。
ESI高被引論文是在特定學(xué)科領(lǐng)域和時(shí)間段內(nèi),,被引用次數(shù)排名處于全球前1%的論文,,代表著該領(lǐng)域的頂尖研究成果。荀威博士入選的兩篇論文(Nano Lett.2024, 24, 3541?3547,,Phys. Rev. Mater.2023,7, 064002),,圍繞其主持的國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目,聚焦于新型信息存儲器件及材料研究,,憑借其創(chuàng)新性的研究思路以及具有重大價(jià)值的研究結(jié)論,在國際學(xué)術(shù)界引起廣泛關(guān)注,,吸引眾多同行引用,。
我校一直高度重視科研工作,不斷加大科研投入,,積極營造良好的科研環(huán)境,,鼓勵教師開展高水平的科學(xué)研究。此次荀威博士的突出成績,,將激勵更多師生投身科研,,勇攀學(xué)術(shù)高峰。相信在全體師生的共同努力下,,我??蒲泄ぷ鲗⑷〉酶迂S碩的成果,在國內(nèi)外學(xué)術(shù)界的影響力也將進(jìn)一步提升,。
(作者:方偉駿 單位:電子工程學(xué)院 編輯:謝冰瑩)

